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新材料在5G通信中的機(jī)遇展望

王明 2019-08-14 1738 1

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大數(shù)據(jù)治理

全面提升數(shù)據(jù)價(jià)值

賦能業(yè)務(wù)提質(zhì)增效

隨著5G的到來(lái),高Q值、選頻特性好、工作頻率穩(wěn)定性好、插入損耗小的濾波器材料成為主流的需求,而微波介質(zhì)陶瓷剛好滿(mǎn)足這些特性。

  摘要:隨著5G移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,工信部在今年6月6日正式向國(guó)內(nèi)四大網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商發(fā)布了5G商用牌照,我國(guó)進(jìn)入了5G商業(yè)應(yīng)用的元年。目前來(lái)看,5G已經(jīng)打破了信息傳輸?shù)目臻g限制,手機(jī)下載一部1G的電影只要3秒,無(wú)人駕駛汽車(chē)反應(yīng)速度精準(zhǔn)到毫秒,解放軍總醫(yī)院的醫(yī)生在3000公里外為帕金森患者植入腦起搏器……此刻,通信設(shè)備上游原材料的發(fā)展是5G商業(yè)化規(guī)模應(yīng)用的前提和保障,本文對(duì)新材料在5G通信中的機(jī)遇做了展望。

  微波介質(zhì)陶瓷構(gòu)成的濾波器預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)629.3億元

  在3G和4G時(shí)代,金屬同軸腔體濾波器由于其成本低,技術(shù)成熟的優(yōu)點(diǎn),是最為主流的濾波器類(lèi)型,但其尺寸較大。在高端射頻器件領(lǐng)域,陶瓷介質(zhì)諧振濾波器因?yàn)椴迦霌p耗小、高抑制、高Q值(品質(zhì)因數(shù))、溫度漂移特性好,功率容量和無(wú)源互調(diào)性能優(yōu),被認(rèn)為是該領(lǐng)域的發(fā)展方向。

  隨著5G的到來(lái),高Q值、選頻特性好、工作頻率穩(wěn)定性好、插入損耗小的濾波器材料成為主流的需求,而微波介質(zhì)陶瓷剛好滿(mǎn)足這些特性。而且受限于大規(guī)模天線(xiàn)技術(shù)對(duì)集成化的要求,更容易小型化的陶瓷介質(zhì)濾波器是主流的解決方案。

  而從市場(chǎng)潛力角度觀察,5G單基站濾波器用量將是4G的FDD制式的16倍,TDD制式的8倍。小型化的單通道濾波器價(jià)格是4G的三分之一,基站單扇區(qū)的濾波器的價(jià)值量達(dá)到4G的3.6倍,為3200元。而單基站扇區(qū)數(shù)為3個(gè)。并且5G頻段高,基站覆蓋范圍小,未來(lái)5G基站總數(shù)有可能達(dá)到4G的1.5倍。工信部在今年年中公布,全國(guó)4G基站已達(dá)437萬(wàn)個(gè),所以,陶瓷介質(zhì)濾波器的國(guó)內(nèi)總市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)629.3億元。

  第三代半導(dǎo)體材料有望彎道超車(chē)

  寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵、磷化銦等材料之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。其可在高溫和強(qiáng)輻照的環(huán)境下保持原有的N型和P型的導(dǎo)電性能,各性能參數(shù)見(jiàn)表1。

表1 各種半導(dǎo)體材料的性能參數(shù)

(來(lái)源:《新材料產(chǎn)業(yè)》)

  5G通信系統(tǒng)對(duì)移動(dòng)通信基站的帶寬要求達(dá)1GHz,而傳統(tǒng)的Si-LDMOS(硅基橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足。第三代半導(dǎo)體材料碳化硅和氮化鎵是基于大寬帶、高效率、小體積、輕質(zhì)量、低成本需求的解決方案。法國(guó)市場(chǎng)研究與戰(zhàn)略咨詢(xún)公司Yole認(rèn)為未來(lái)五年,全球碳化硅功率半導(dǎo)體的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到29%;全球射頻氮化鎵的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到22.9%,市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到13億美元。

  LDMOS技術(shù)從1995年誕生以來(lái),占領(lǐng)了幾乎全球所有的2G和3G市場(chǎng)份額,出貨量的走高使得生產(chǎn)成本迅速下降,形成了難以打破的技術(shù)壟斷格局,其主要被飛思卡爾公司、荷蘭恩智浦公司和德國(guó)英飛凌公司等3家歐美企業(yè)把控,我國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)難以有所作為。但是,目前氮化鎵技術(shù)在全球移動(dòng)通信基站的應(yīng)用還處于起步階段,而中科院半導(dǎo)體所、西安電子科技大學(xué)、中國(guó)電科13所、55所等科研院所已經(jīng)在氮化硅襯底氮化鎵鋁/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料研制方面取得一定進(jìn)展。所以,我國(guó)很有希望在氮化鎵技術(shù)的全球競(jìng)爭(zhēng)格局中實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē),占有一席之地。

  高端多層陶瓷電容器材料被日企壟斷

  多層陶瓷電容器是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)元器件之一,為了滿(mǎn)足5G通信大容量、高速度的需求,多層陶瓷電容器材料將朝著高頻、低功耗、小型、高儲(chǔ)能密度方向發(fā)展。

  但是目前高端產(chǎn)品幾乎被日本企業(yè)壟斷,日本企業(yè)掌握相關(guān)的超高溫陶瓷粉末生產(chǎn)技術(shù)和工藝,在陶瓷粉末全球市場(chǎng)占據(jù)超過(guò)70%的份額。而在該領(lǐng)域,我國(guó)主要以中小企業(yè)居多,關(guān)鍵技術(shù)工藝落后,在陶瓷粉末純度、顆粒大小和形狀方向無(wú)法達(dá)到要求,沒(méi)能形成有力的競(jìng)爭(zhēng)。也因陶瓷粉末原料占多層陶瓷電容器成本的30%-65%,在2017年,多層陶瓷電容器被迫多次高幅度漲價(jià),下游企業(yè)叫苦不迭。

  聚碳酸酯有機(jī)玻璃復(fù)合材料將部分取代金屬手機(jī)蓋板

  5G對(duì)手機(jī)外殼的信號(hào)傳輸能力提出了更高的要求,具有信號(hào)屏蔽作用的金屬后蓋將被淘汰,塑料、玻璃、陶瓷材質(zhì)份額將會(huì)上升。聚碳酸酯有機(jī)玻璃通過(guò)紋理設(shè)計(jì)和3D高壓成型可實(shí)現(xiàn)3D玻璃效果,其成型工藝簡(jiǎn)單,節(jié)約能源,生產(chǎn)效率高,成本低,符合無(wú)線(xiàn)充電無(wú)屏蔽的需求,并且有機(jī)玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯)具有高硬度和耐候性,聚碳酸酯具有抗沖擊性和良好的成型性能的特點(diǎn)。

  目前,聚碳酸酯有機(jī)玻璃復(fù)合材料的生產(chǎn)廠(chǎng)家較少,如:TEIJIN、kuraray、Sumitomo Chemical等,聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯原料產(chǎn)能集中在國(guó)外化工巨頭手中。

  LCP和MPI材料將成為新型天線(xiàn)傳輸線(xiàn)

  LCP(Liquid Crystal Polymer)是一種新型的高分子材料,在加熱狀態(tài)一般會(huì)變成液晶形態(tài),所以也被成為液晶聚合物。MPI(Modified Polyimide)是傳統(tǒng)聚酰亞胺薄膜的改性材料。它們具有低吸濕、低介電常數(shù)及低介電損失的特性,將成為新型天線(xiàn)傳輸線(xiàn)。

  LCP材料制造難度較大,良率低導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高,所以MPI將和LCP材料在5G時(shí)代共存,中低頻采用MPI,高頻采用LCP。

  結(jié)語(yǔ)

  隨著5G時(shí)代的到來(lái),新材料行業(yè)迎來(lái)了巨大機(jī)遇,微波介質(zhì)陶瓷構(gòu)成的濾波器將在5G基站中大量應(yīng)用,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)會(huì)超過(guò)629.3億元;寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵材料有望實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē);高端多層陶瓷電容器材料被日企壟斷,國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商需要突破陶瓷粉末制備技術(shù)和工藝;金屬手機(jī)蓋板會(huì)被淘汰,聚碳酸酯有機(jī)玻璃復(fù)合材料將部分取代;LCP和MPI材料將成為新型天線(xiàn)傳輸線(xiàn)。

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