摘要：薄膜太陽能電池技術是光伏技術的發展方向之一。雖然薄膜太陽能電池目前還屬于起步階段，但是各個國家都已經認識到發展薄膜電池的重要性。隨著各國對薄膜電池研發人員和資金的投入，薄膜電池終將迎來的大的發展和技術性的跨越。本文從國內外兩個方面闡述了碲化鎘薄膜電池和砷化鎵薄膜電池的研究進展。

　　碲化鎘薄膜太陽能電池研究進展

　　(1)國內研究進展

　　在最近的幾年里，國內各大院校、科研機構和企業都在CdTe薄膜太陽能電池方向加大了研究力度。其中尤其以四川大學、中國科技大學、中科院電工所的研究最為突出。他們在改善碲化鎘薄膜電池的內部缺陷問題、應對薄膜沉積生長的動力學問題、蒸汽輸運發沉積薄膜機理、薄膜晶界鈍化以及研究薄膜少子增加與其壽命增長的關系，都取得了一定的突破。四川大學于2016年6月研制出新型的碲化鎘薄膜太陽電池，其面積為0.5 cm²，其效率達到了16.73%。其主要創新點在于薄膜太陽電池的碲化鎘層采用蒸汽輸運法沉積。

　　企業代表龍焱能源科技有限公司，其一直致力于在小面積薄膜電池上面的研究。在2016年11月，其研制出的小面積碲化鎘薄膜電池，面積為0.554 cm²、但是其效率高達17.33%。除此之外，龍焱能源科技還對薄膜電池大面積組件的研制進行了很大的投入。它在2015年建立了自主研發的生產線，并于2016年實現量產(生產量達20 MW/年)其量產的薄膜電池組件面積為0.72 m²，平均效率達13%。

　　中國建筑光電材料有限公司也致力于小面積碲化鎘薄膜電池的研制和開發。2016年，其技術團隊在75℃條件下通過光對1cm²標準TEC15 導電玻璃的碲化鎘薄膜電池進行煉化48小時，其轉化效率明顯增強，達到17.81%。

　　(2)國際研究進展

　　美國每年對碲化鎘薄膜電池的科研投入高達1.4億美金。Zhang 的團隊在2016年應用分子束外延的沉積法制備碲化鎘薄膜電池，使得了碲化鎘薄膜電池的轉化效率達到20.3%。該電池采用雙層異質結構和重摻雜p-型傳輸層結構，使得其單晶薄膜厚度僅為1000納米至1500納米。另外，該電池還采用了正反兩面的雙層鈍化層，這讓電池吸收層的壽命增加，明顯高于銅銦鎵硒薄膜在同等條件下的水平。這是碲化鎘薄膜電池技術上的重大突破。First Solar在2016年2月宣布研制成功轉化率為22.1%的碲化鎘薄膜電池。

　　美國在2015年就已經可以量產碲化鎘薄膜面積為7038.8 cm²，且效率高達18.6%的電池組件了。隨著技術的成熟，其生產線效率增幅明顯。近年來，美國生產的碲化鎘薄膜電池組件成本已經低于0.4美金。這使得美國在國際市場上電池組件的競爭力更加的強盛。

　　砷化鎵薄膜太陽能電池研究進展

　　(1)國內研究進展

　　我國砷化鎵薄膜太陽能電池的研究主要還是集中在面積較小的薄膜電池上。上海空間電源研究所和電子部天津18 所在2016年聯合研制四結疊層(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)的砷化鎵薄膜電池。將光轉化效率由原來的24.8%大幅增加至34.3%;

　　蘇州矩陣光電公司研制出三層疊膜的柔性砷化鎵薄膜太陽能電池，這種電池不僅光轉化效率可以達到35%。而且其自身的柔性特征，使得其底襯可以重復利用，從而降低了薄膜電池的成本。

　　天津三安光電公司研制的三結疊層(GaInP/GaInAs/Ge)高倍聚光電池，其光轉化效率可達到41%，并實現了量產。同時，廈門乾照光電公司研制的三結疊層聚光電池(GaInP/GaAs/GaInAs)，其光電轉化效率為34.5%。此款電池在特定的強光下(AM1.5D×517)，其光轉化效率可達43.0%。

　　漢能Alta Devices自主研發了新型MOCVD設備。該設備因為控制溫度精確快速并且擁有高速外延生長的能力。這都使得MOCVD設備成為砷化鎵的量產主要儀器，并且也有機會讓砷化鎵成為大眾產品的可能。

　　(2)國際研究進展

　　日本夏普公司根據三結疊層(InGaP/GaAs/InGaAs)砷化鎵薄膜電池的獨特性質，結合樹脂薄膜，開發出了特殊的光伏組件，效率達到32%。因為此組件獨特的柔性特征以及輕薄特征，使得其在宇宙空間站及其飛行器中都有大量運用。此外，韓國光學技術研究院也研究出一款柔性很好且輕薄的太陽能光伏組件，此組件厚度只有1.4μm，但是其張力很強，將這種電池組件與砷化鎵貼合在并在外表鑲式邊框，這將為下一代可穿戴設備的電力來源。

　　結語

　　目前，我國對碲化鎘和砷化鎵薄膜電池的研發投入總體規模較小，這使得其在國內的發展速度較為緩慢，且應用市場較為狹窄。碲化鎘薄膜的轉化效率在國內市場中低于國際市場2.3%，而其量產生產線在國內也剛剛開始，而砷化鎵薄膜電池在我國的研發應用相對國際市場也較為狹窄。因此，碲化鎘和砷化鎵薄膜電池的在國內的發展空間還是很大的。但是，我們應該意識到國內市場與國際市場上薄膜電池組件研發上的差距。